Lav kapasitans og lav induktans design, egnet for likestrøm og tekniske frekvenser, høy stabilitet < ± 0,01 % over flere år Område: 10 μΩ ... 100 kΩ Lav kapasitans og lav induktans design Egnet for likestrøm og tekniske frekvenser Høy stabilitet < ± 0,01 % over flere år
